| SEMIプレスリリース ２０２５年３月２８日更新 |
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■ＩＮＤＥＸ
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| 2025年のファブ装置投資額は1,100億ドルに到達の見込み |
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| SEMIは、世界の半導体前工程製造装置の投資額が、2025年に前年比2%増の1,100億ドルに達し、2020年から6年連続成長を記録する見込み。 2026年のファブ装置投資額は、18%増の1,300億ドルが予測。この投資をけん引しているのは、ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）やデータセンター拡大を支えるメモリ分野だけではなく、AIインテグレーションの拡大による、エッジ・デバイスの半導体使用量の押し上げ。 SEMI会長、「世界の半導体業界の製造装置投資額は6年連続で増加しており、AI関連チップの需要急増に対応するための増産に伴い、2026年の投資額は18%の大幅増となる状況。この設備投資の増加予測は、2025年と2026年の2年間に生産を開始する予定の約50の新規ファブが必要とする技能労働者を供給するために、人材開発に向けた活動を強化することが急務であることを示している。」  ロジック&マイクロプロセッサが半導体産業の拡大をリード ・分野別投資
国が地域別のファブ装置投資額を引き続きリード ・地域別投資
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| 詳細は「2025年のファブ装置投資額は1,100億ドルに到達の見込み」参照。 ↑ＴＯＰ |
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| 2024年第4四半期の世界半導体製造産業は好調な業績を記録 |
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| SEMIは、2024年第4四半期の世界半導体製造産業が好調な業績を収め、主要業界セグメントのほとんどで前年同期比プラス成長となった。2025年の始まりにおける業界の見通しは、AI関連への積極的な投資による勢いがある一方で、季節性やマクロ経済の不確実性により、短期的には成長を妨げる恐れがあるため、用心深くも楽観的。 電子機器売上 2024年上期に減少した電子機器の売上は同年下期に回復し、年間では2%の増加。2024年第4四半期の電子機器売上は前年同期比で4%増加、2025年第１四半期は季節性の影響を受けて1%増となる見込み。 IC売上 2024年第4四半期に前年同期比29%増。AI需要でハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）およびデータセンター用メモリチップの出荷が増加しており、2025年第1四半期も前年同期比23%増と成長が続くことが予想。 半導体設備投資 2024年前半に減少を見せたが、第4四半期に回復、2024年通期では3%の成長。メモリの設備投資が引き続き成長を牽引し、2024年第4四半期には前年同期比では56%と急増。非メモリ分野の設備投資も2024年第4四半期に増加し前年同期比17%の上昇。2025年第1四半期の設備投資は、AIの発展に伴う高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力拡大に向けた投資に支えられて前年同期比16%増と好調が続く見込み。 半導体製造装置セグメント 主に最先端ロジック、アドバンスト・パッケージング、HBMの生産能力拡大に向けた投資の増加により堅調。2024年第4四半期のウェーハファブ装置（WFE）の投資は、前年同期比で14%増加。2025年第1四半期のWFE販売額は260億ドルの予測。中国の投資は引き続きWFE市場で重要な役割を担うが、年末にかけて減少。また、後工程装置も2024年第4四半期に大幅な増加、テスト装置は前年同期比では55%増を記録。一方、組立・パッケージング装置は前年同期比で15%増。両セグメントとも、2025年第1四半期には前期比で6～8%の成長を示すことが予想。 ウェーハファブ生産能力 2024年第4四半期に世界全体で四半期当たり4,200万枚（300mm換算）を上回る記録、2025年第1四半期には4,270万枚近くまで増加を予測。ファウンドリおよびロジックの生産能力は、2024年第4四半期に前期比2.3%増加。 先端ノードの生産能力拡大により、2025年第1四半期に2.1%増加する見込み。メモリの生産能力は2024年第4四半期に1.1%増加し、HBMの旺盛な需要に牽引されて2025年第1四半期も同水準を維持。  半導体売上高  半導体設備投資とウエハFAB生産能力 |
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| 詳細は「2024年第4四半期の世界半導体製造産業は好調な業績を記録」参照。 ↑ＴＯＰ |
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| シリコンウェーハ世界出荷面積および売上高が2024年下半期から回復に転じる |
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| SEM）は、、2023年から下降サイクルに入ったシリコンウェーハの世界出荷面積が、2024年下半期から回復を始めた。2024年のシリコンウェーハの出荷面積は前年比2.7%減の122億6,600万平方インチ、販売額は前年比6.5%減の115億ドル。 2024年には、大量生産セグメントの最終需要が低迷したことにより、ファブ稼働率や特定用途向けのウェーハ出荷に影響を及ぼし、広範囲にわたり在庫調整が遅れた。2025年も引き続き回復し、下半期に向けてより力強い改善が見込まれる。 SEMIは、「生成AIと新しいデータセンターの建設は、高帯域幅メモリー（HBM）のような最先端のファウンドリやメモリデバイスを牽引してきましたが、その他のエンドマーケットは依然として過剰在庫からの回復途上です。多くの顧客が業績報告書で指摘しているように、産業用半導体市場は依然として大幅な在庫の調整局面にあり、これが世界中のシリコンウェーハの出荷に影響を与えています。」 半導体用シリコンウェーハ市場の年次動向
本リリースで用いている数値は、ウェーハメーカーよりエンドユーザーに出荷された、バージンテストウェーハ、エピタキシャルウェーハを含むポリッシュドウェーハおよびノンポリッシュドウェーハを集計。半導体用シリコンウェーハの出荷面積のみとなり、太陽電池用は含まれない。 |
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| 詳細は「シリコンウェーハ世界出荷面積および売上高が2024年下半期から回復に転じる」参照。 ↑ＴＯＰ |
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| 2025年に建設開始予定の新規半導体工場は18棟 |
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| SEMIは、2025年に18棟の新規半導体工場建設プロジェクトが開始されるとの予測。新規プロジェクトには3棟の200㎜設備と15棟の300㎜設備が含まれており、その大半は2026年から2027年の稼働開始を予定。 2025年には、米国と日本でそれぞれ4つのプロジェクトが予定されており他の地域をリード。中国とヨーロッパおよび中東地域はそれぞれ3つの建設プロジェクトにより同率3位に位置。台湾は2つ、韓国と東南アジアはそれぞれ1つのプロジェクトが予定。  SEMは、「半導体産業は、進化を続ける世界的需要に対応するため、最先端技術と主流な技術の両方に対する投資が求められるという極めて重要な局面を迎えています。生成AIとハイパフォーマンス・コンピューティングが最先端のロジックとメモリ分野の進歩に拍車をかける一方で、主流のノードは自動車、IoT、そしてパワーエレクトロニクスといった重要なアプリケーションを支え続けています。2025年に予定されている18棟の新規半導体工場の建設は、イノベーションとさらなる経済成長に向けた業界の貢献を示しています。」 2023年から2025年は、世界の半導体業界において97棟の新しい量産工場の稼働開始が予定。これは2024年の48棟のプロジェクトと2025年に予定されている32棟のプロジェクトを含み、ウェーハサイズは300㎜から50㎜。 先端ノードが半導体産業の拡大を牽引 2025年の半導体生産能力はさらに加速し、年率6.6％の成長率で月産3,360万枚（wpm）になると予測。この拡大は、HPCアプリケーションにおける最先端ロジック技術とエッジデバイスにおける生成AIの普及拡大による。 半導体業界は、大規模言語モデル（LLCs）の計算需要の拡大に対応する、先端計算能力の構築への取り組みを強化。チップメーカーは先端ノード（7nm以下）の生産能力を積極的に拡大しており、2025年には30万wpm以上増加し合計220万wpmになると予想され、業界をリードする年率16％の成長が見込まれる。 中国のチップ自給戦略と、自動車およびIoTからの需要予想に後押しされ、2025年の主流のノード（8nm～45nm）は1,500万wpmのマイルストーンを突破し生産能力はさらに6%増加すると予測。 成熟した技術のノード（50nm以上）は市場の回復の遅れと稼働率の低さを反映して、より保守的な拡大を見せています。2025年のこの分野での生産能力は5%成長し、1,400万wpmに達するという予測。 ファウンドリ分野は引き続き力強い生産能力増加を維持 ファウンドリのサプライヤーは半導体設備購入において主力となり続ける。ファウンドリ分野では生産能力が年率10.9％増加し、2024年の1,130万wpmから2025年には記録的な1,260万wpmになると予測。 メモリ分野全体では2024年には3.5%、2025年には2.9%と緩やかな成長となり、着実な生産能力の拡大が見られる。しかし、生成AI需要の高まりがメモリ市場に大きな変化をもたらす。高帯域幅メモリー（HBM）が顕著な急成長を遂げ、DRAMとNANDフラッシュ分野の間で生産能力の成長傾向に乖離が生じる。 DRAM分野は力強い成長を維持すると予想され、2025年には前年比約7%増の450万wpmとなる一方で、3D NANDの設置能力は5%増の370万wpmとなる見込み。 |
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| SEMICON Japan 2024延べ来場者数 |
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※延べ来場者数は、日ごとの来場者・出展者数を含みます。 ※実来場者数は、複数日に来場した来場者の重複を除いた人数です。出展者は含みません。 |
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